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SUD50N10-18P-GE3
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
8 0
60
40
V GS = 10 V thru 8 V
V GS = 7 V
2.0
1.6
1.2
0. 8
T C = 25 °C
20
V GS = 6 V
0.4
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0.0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
75
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
0.036
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
T C = - 55 °C
60
0.027
45
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.01 8
V GS = 10 V
30
0.009
15
0
0.000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
0.10
I D = 15 A
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
3500
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
0.0 8
0.06
2 8 00
2100
C iss
0.04
0.02
T A = 150 °C
1400
700
C oss
T A = 25 °C
0.00
0
C rss
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
8 0
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 65717
S12-1958-Rev. C, 13-Aug-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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